رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP149 E6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP149 E6327-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
12799490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP149 E6327 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
660mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
430 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP149E6327T
SP000011104
BSP149 E6327-DG
BSP149E6327
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP149H6906XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
BSP149H6906XTSA1-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BSP149H6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
25184
DiGi رقم الجزء
BSP149H6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
